熱釋光劑量計(jì)是一種基于熱釋光效應(yīng)記錄累積輻射劑量的精密儀器，廣泛應(yīng)用于核防護(hù)、醫(yī)療監(jiān)測(cè)、環(huán)境評(píng)估及科研領(lǐng)域。其核心原理是：特定晶體材料（如氟化鋰LiF、氧化鈹BeO等）受電離輻射（X、γ、β、中子射線）照射后，晶格中的電子被激發(fā)并陷入缺陷（陷阱）中儲(chǔ)存能量；加熱時(shí)，被俘獲的電子逃逸并返回基態(tài)，釋放儲(chǔ)存的能量以可見(jiàn)光形式發(fā)射，光強(qiáng)度與吸收的輻射劑量成正比，通過(guò)測(cè)量光信號(hào)即可換算出累積劑量值。

　　熱釋光劑量計(jì)的保養(yǎng)需圍繞其核心部件（探測(cè)器、加熱盤、電子元件）及使用環(huán)境展開(kāi)，具體方法如下：

　　一、探測(cè)器保養(yǎng)

　　污染處理

　　避免接觸污染物：探測(cè)器芯片若接觸體液、消毒劑、油污等，可能導(dǎo)致讀數(shù)偏差（實(shí)驗(yàn)顯示油污污染可能使讀數(shù)降低15%-20%）。

　　清潔方法：立即用無(wú)水乙醇擦拭污染區(qū)域，并標(biāo)記送檢時(shí)說(shuō)明污染情況。

　　退火處理

　　消除殘留劑量：使用前需在400℃下退火2小時(shí)，以清除之前儲(chǔ)存的劑量信息，確保測(cè)量準(zhǔn)確性。

　　重復(fù)使用限制：芯片使用次數(shù)建議不超過(guò)15次，多次退火會(huì)降低靈敏度。

　　存儲(chǔ)環(huán)境

　　溫濕度控制：保存環(huán)境應(yīng)與當(dāng)?shù)貞敉鉁貪穸然疽恢拢苊鈽Od條件。例如：

　　室內(nèi)保存：選擇無(wú)空調(diào)/暖氣房間，保持門窗常開(kāi)，防雨防盜。

　　戶外保存：使用倒扣塑料桶，底部固定扎孔塑料袋裝劑量計(jì)，桶四周開(kāi)孔保持內(nèi)外溫濕度一致。

　　穩(wěn)定性驗(yàn)證：輻照后存放6個(gè)月內(nèi)的儲(chǔ)能衰減小于10%，滿足職業(yè)性外照射個(gè)人監(jiān)測(cè)規(guī)范要求。

　　二、加熱盤維護(hù)

　　清潔與平整度

　　定期擦洗：長(zhǎng)期使用后，加熱盤因高溫氧化可能變黃變黑，導(dǎo)致反射光性能和熱傳導(dǎo)性下降。需用軟布或?qū)Ｓ们鍧崉┎料矗３纸佑|面平整。

　　接觸完整性：確保探測(cè)器與加熱盤完q接觸，避免因接觸不良導(dǎo)致輻射能釋放不完q，影響測(cè)量結(jié)果。

　　加熱性能檢查

　　觀察加熱曲線：定期檢查加熱盤升溫速率和溫度均勻性，若出現(xiàn)局部過(guò)熱或升溫緩慢，需及時(shí)更換或維修。

　　三、電子元件維護(hù)

　　定期通電預(yù)熱

　　防老化措施：若使用頻率較低，建議每周開(kāi)機(jī)1-2次，每次約30分鐘，避免電子元件（如電容、線路板）老化。

　　參數(shù)監(jiān)控：預(yù)熱時(shí)觀察基本參數(shù)（如高壓值、暗電流）變化，確保儀器狀態(tài)良好。

　　環(huán)境濕度控制

　　防潮處理：部分型號(hào)需控制環(huán)境濕度，避免內(nèi)部部件受潮。可在儀器內(nèi)放置防潮硅膠，并定期更換。

　　四、使用規(guī)范與周期管理

　　佩戴與送檢

　　規(guī)范佩戴位置：固定于左胸前第二紐扣水平位置，介入操作時(shí)需在防護(hù)圍裙內(nèi)側(cè)額外佩戴次級(jí)劑量計(jì)。

　　送檢制度：每月送檢時(shí)間誤差控制在3天以內(nèi)，保證劑量與工作時(shí)段準(zhǔn)確對(duì)應(yīng)。

　　質(zhì)量核查制度

　　臺(tái)賬管理：建立劑量?jī)x臺(tái)賬，每季度隨機(jī)抽取3-5臺(tái)設(shè)備，用已知?jiǎng)┝康臉?biāo)準(zhǔn)源進(jìn)行照射比對(duì)，驗(yàn)證測(cè)量系統(tǒng)穩(wěn)定性。

　　廢棄處理：廢棄芯片需按豁免級(jí)放射性廢物要求規(guī)范處理，不可隨意丟棄。

　　五、環(huán)境與操作禁忌

　　溫度與光照

　　存放溫度限制：環(huán)境溫度不得超過(guò)40℃，避免熱釋光提前釋放。

　　避光保存：遠(yuǎn)離強(qiáng)光，防止紫外線產(chǎn)生干擾信號(hào)。

　　機(jī)械防護(hù)

　　防擠壓：避免與手機(jī)、對(duì)講機(jī)等設(shè)備近距離接觸，防止機(jī)械擠壓損壞芯片。

　　防污染：禁止自行拆卸劑量盒或觸摸芯片表面，手部汗液鹽分可能改變晶體表面狀態(tài)，導(dǎo)致劑量響應(yīng)降低8%-12%。